ไมโครชิพ วงจรขับเกตพลั๊กแอนด์เพลย์ “mSiC 3.3 kV XIFM”
ไมโครชิพ ขยายโซลูชัน mSiC™ ด้วยวงจรขับเกต mSiC 3.3 kV XIFM ชนิดพลั๊กแอนด์เพลย์ เพื่อเร่งการใช้โมดูลพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์แรงดันไฟฟ้าสูง เมื่อออกแบบอุปกรณ์ทุกอย่างให้ใช้พลังงานไฟฟ้า ส่งผลให้มีการใช้เทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) อย่างแพร่หลายในระบบแรงดันไฟฟ้ากลางถึงสูง เช่น การขนส่ง กริดไฟฟ้า และรถยนต์ขนาดใหญ่ และเพื่อช่วยให้นักพัฒนาได้ปรับใช้โซลูชันซิลิคอนคาร์ไบด์และเร่งกระบวนการพัฒนา ไมโครชิพ เทคโนโลยี (Nasdaq: