ไมโครชิพ ขยายโซลูชัน mSiC™ ด้วยวงจรขับเกต mSiC 3.3 kV XIFM ชนิดพลั๊กแอนด์เพลย์ เพื่อเร่งการใช้โมดูลพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์แรงดันไฟฟ้าสูง
เมื่อออกแบบอุปกรณ์ทุกอย่างให้ใช้พลังงานไฟฟ้า ส่งผลให้มีการใช้เทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) อย่างแพร่หลายในระบบแรงดันไฟฟ้ากลางถึงสูง เช่น การขนส่ง กริดไฟฟ้า และรถยนต์ขนาดใหญ่ และเพื่อช่วยให้นักพัฒนาได้ปรับใช้โซลูชันซิลิคอนคาร์ไบด์และเร่งกระบวนการพัฒนา
ไมโครชิพ เทคโนโลยี (Nasdaq: MCHP) จึงได้เปิดตัว วงจรขับเกต mSiC™ 3.3 kV XIFM ชนิดพลั๊กแอนด์เพลย์ ที่มาพร้อมเทคโนโลยี Augmented Switching™ ที่จดสิทธิบัตรแล้ว ซึ่งได้รับการออกแบบมาให้ทำงานได้เลยตั้งแต่แกะกล่อง พร้อมการตั้งค่าโมดูลที่ปรับมาแล้วล่วงหน้าเพื่อลดเวลาการออกแบบและการประเมินได้อย่างมีนัยสำคัญ
เพื่อเร่งความเร็วในการนำผลิตภัณฑ์เข้าสู่ตลาด โซลูชันชนิดพลั๊กแอนด์เพลย์นี้ครอบคลุมงานพัฒนาที่ซับซ้อนในการออกแบบ ทดสอบ และรับประกันคุณภาพการออกแบบวงจรขับเกต วงจรขับเกตดิจิทัล XIFM เป็นโซลูชันขนาดกะทัดรัดที่มีระบบควบคุมดิจิทัล เพาเวอร์ซัพพลาย และอินเตอร์เฟสไฟเบอร์ออปติก (fiber-optic interface) ที่ทนทาน ซึ่งช่วยเพิ่มความต้านทานต่อสัญญาณรบกวน วงจรขับเกตนี้ได้ตั้งโปรไฟล์วงจรขับเกตแบบ “ปิด/เปิด” มาแล้วล่วงหน้า เพื่อเพิ่มสมรรถนะของโมดูล
วงจรขับเกตนี้มีคุณลักษณะแยกไฟฟ้าฝั่งปฐมภูมิ (primary) กับทุติยภูมิ (secondary) เสริมแกร่ง 10.2 kV พร้อมฟังก์ชันติดตามและป้องกันแบบบิวด์อิน (built-in) ซึ่งรวมไปถึงการติดตามอุณหภูมิและวงจรเชื่อมโยงทาง DC, การหยุดทำงานเมื่อแรงดันตก (undervoltage lockout— UVLO), การหยุดทำงานเมื่อแรงดันเกิน (overvoltage lockout— OVLO), ระบบป้องกันวงจรลัด/กระแสไฟฟ้าเกิน (DESAT) และเทอร์มิสเตอร์ประเภทค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเชิงลบ (Negative Temperature Coefficient— NTC) นอกจากนี้ วงจรขับเกตนี้ยังได้มาตรฐาน EN 50155 ซึ่งเป็นข้อกำหนดเฉพาะที่สำคัญสำหรับระบบรางรถไฟอีกด้วย
เคลย์ตัน พิลเลียน รองประธานประจำหน่วยธุรกิจซิลิคอนคาร์ไบด์ของไมโครชิพ กล่าวว่า ขณะที่ตลาดซิลิคอนคาร์ไบด์เติบโตอย่างต่อเนื่องและขยายขอบเขตของแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้น ไมโครชิพช่วยให้นักผู้พัฒนาระบบพลังงานปรับใช้เทคโนโลยีที่มีแถบพลังงานกว้างขึ้นได้ง่ายยิ่งขึ้นด้วยโซลูชันที่ครอบคลุมเบ็ดเสร็จอย่างวงจรขับเกตชนิดพลั๊กแอนด์เพลย์ mSiC 3.3 kV ของเรา ด้วยการปรับวงจรขับเกตทั้งหมดล่วงหน้า โซลูชันนี้สามารถลดเวลาในวัฏจักรการออกแบบลงถึง 50% เทียบกับโซลูชันอนาล็อกดั้งเดิม
ด้วยประสบการณ์มากกว่า 20 ปีในการพัฒนา การออกแบบ การผลิต และการสนับสนุนโซลูชันอุปกรณ์ซิลิคอนคาร์ไบด์และพลังงาน ไมโครชิพช่วยลูกค้าปรับใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์อย่างง่ายดาย รวดเร็ว และมั่นใจ ผลิตภัณฑ์ mSiC™ ของไมโครชิพให้ต้นทุนระบบที่ต่ำที่สุด เวลานำสู่ตลาดที่เร็วที่สุด และความเสี่ยงต่ำที่สุด โซลูชันของไมโครชิพนั้นรวมไปถึงกลุ่มผลิตภัณฑ์ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ ไดโอด และวงจรขับเกตที่กว้างที่สุดและยืดหยุ่นที่สุดในอุตสาหกรรม สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์ซิลิคอนคาร์ไบด์ของไมโครชิพ กรุณาคลิกที่นี่
การวางจำหน่าย
วงจรขับเกตชนิดพลั๊กแอนด์เพลย์ mSiC 3.3 kV XIFM วางจำหน่ายแล้วตอนนี้ สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมและการสั่งซื้อ กรุณาติดต่อตัวแทนฝ่ายขายของไมโครชิพ ตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาตทั่วโลก หรือเข้าชมเว็บไซต์การสั่งซื้อและบริการลูกค้าของไมโครชิพ www.microchipdirect.com
